公司公告

一周新闻集锦:北美半导体设备出货量连续四个月下滑

来源:http://www.twfengzheng.com 责任编辑:k8.com 2018-11-07 20:12

  根据国际半导体设备材料产业协会(SEMI)发布的9 月份出货报告显示,北美的半导体设备出货量在9 月份持续下滑,月减率超过6%,不过,年增率仍维持在水平线上。

  报告显示,北美的半导体设备制造商在2018年9月份的全球销出货额为20.9亿美元,比上个月的23.7亿美元下降了6.5%,连续四个月下滑。不过,比去年同期的20.5亿美元的仍高出1.8%。

  据统计,北美半导体设备制造商出货额在第三季较上一季减少了14.9%,约为67.1亿美元。报告表示,数字减少乃是由于季节性因素影响,预估到年底前这个数字将获得明显改善。

  SEMI 总裁兼执行长Ajit Manocha 表示:“北美半导体设备供应商的季度全球销售额在最近一季中经历了典型的季节性减弱。相对于第三季,我们预估今年第四季的投资活动将会有所改善。”先前,Ajit Manocha 曾表示2018 年半导体设备相关支出可望连续四年成长。

  SEMI表示,对于明年的半导体设备市况看法乐观,预估2019年全球半导体设备投资的金额将能达到675亿美元,可望较今年成长7.5%,并维持连续四年的成长,有望刷新历史纪录。

  10月19日,由宜兴市人民政府主办、中国电子信息产业发展研究院和江苏省半导体行业协会等单位协办的宜兴集成电路材料产业规划发布暨发展研讨会在宜兴宾馆召开。中科院院士褚君浩和郝跃、中国半导体行业协会副理事长于燮康、十一科技董事长赵振元、电子科技大学教授张波等专家和来自全国集成电路行业的专家、企业家出席了会议,共同见证了宜兴集成电路材料产业规划发布,共话集成电路材料产业发展。会上,宜兴市人民政府聘请褚君浩、郝跃等8位专家担任首批集成电路产业发展顾问。

  宜兴集成电路材料产业规划指出,到2025年,宜兴集成电路材料产业规模要超过300亿元,成为华东地区最具规模的集成电路材料产业集群。目前,宜兴经开区已经融入“一体两翼”发展格局,启动实施了一批优质重大项目,涵盖半导体化学材料、硅晶圆切片和抛光、半导体元器件制造等各个领域,逐步形成稳定的产业链供应生态体系。

  据《徐州日报》报道:江苏鑫华半导体材料科技有限公司(以下简称江苏鑫华)拟在徐州投资160亿元建设12英寸/8英寸晶圆生产线,全部投产后可实现年产值100亿元的规模。

  江苏鑫华是由江苏中能硅业科技发展有限公司(简称江苏中能)和国家集成电路产业投资基金股份有限公司(简称大基金)于2015年共同投资设立,江苏鑫华在徐州投资37.8亿元建成国内首条年产5000吨半导体集成电路专用电子级多晶硅生产线月江苏鑫华正式生产出电子级多晶硅面市,可满足40纳米及以下12英寸生产线单晶制造需要,打破了国外对电子级多晶硅技术、市场的垄断,填补了国内电子级多晶硅空白,是继美国HemLock和德国Wacker之后第三大半导体硅材料生产商,2018年5月已有少部分产品出口到韩国。

  徐州市地处江苏省的北部,位于京沪、陇海线和京杭大运河交汇处,是军事战略要地和工业重镇,区位优势明显,发展集成电路晶圆业大有希望,产业链可辐射苏、鲁、皖、豫、冀五省,区域广阔,资源富厚,被业界专家看好。可预见徐州市发展集成电路产业意义重大,对地区产业发展影响巨大,为江苏省集成电路产业发展增添亮点和后劲。

  近日,记者从位于重庆两江新区水土的市级重点项目重庆万国半导体科技有限公司(以下简称“重庆万国”)了解到,该公司半导体项目自6月试生产以来,进展顺利,目前12英寸功率半导体晶圆测试片已顺利产出,预计年底正式量产。

  重庆万国半导体项目于2016年由美国AOS、重庆战略性新兴产业股权投资基金和重庆两江新区战略性新兴产业股权投资基金共同出资组建。一期投资5亿美元,主要建设规模为月产2万片12英寸功率半导体芯片、月产500KK功率半导体芯片封装测试。二期计划投资5亿美元,建设月产5万片12英寸功率半导体芯片、月产1250KK功率半导体芯片封装测试。

  10月26日,格芯与成都合作伙伴签署了投资合作协议修正案。基于市场条件变化、格芯于近期宣布的重新专注于差异化解决方案,以及与潜在客户的商议,将取消对成熟工艺技术(180nm/130nm)的原项目一期投资。同时,将修订项目时间表,以更好地调整产能,满足基于中国的对差异化产品的需求包括格芯业界领先的22FDX技术。

  凭借逾20亿美元的设计中标收入以及50多项客户设计,格芯的22FDX技术在汽车、5G连接以及物联网(IoT)等各种高速增长的应用领域内展示了其作为业界领先的功耗优化的芯片平台的吸引力。格芯的中国客户已开始在位于德国德累斯顿的格芯先进生产基地中采用这种技术包括7名客户超过8个产品进入生产爬坡的不同阶段。

  瑞芯微电子CEO励民表示:“我们和格芯合作已经很久了。22FDX低功耗的特点使其非常适合我们的不同产品,比如安防、AI等。我们也期待22FDX落地在中国生产,这将为我们带来更多的便利。”

  双方合作伙伴仍计划继续推进FDSOI生态系统建设,包括创建本地技术基础设施、引进更多IP供应商和EDA合作伙伴等,使成都成为FDX技术的重要中心并赋能本土市场的采用以及需求产生。

  成都股东方认为:“此次格芯成都项目的调整变化为合作双方留出充分时间进行评估,以更准确地掌握中国市场需求,为未来新的产能规划和项目实质性启动做好前期准备”。

  格芯CEO汤姆·嘉菲尔德(TomCaulfield)表示:“作为全球规模最大、增长最快的半导体市场之一,中国是格芯高优先市场。FDX技术特别适合中国市场,我们将继续见证其在5G、IoT以及边缘计算等极富吸引力的市场领域的巨大潜力。我们将与成都政府继续深化务实合作,坚定推动成都项目的实施,共同加快中国FDX技术生态系统和客户群的发展。”(来源:中国电子报、电子信息产业网)

  10月25日晚间,“紫光系”上市公司紫光国微、紫光股份、紫光学大披露,实控人清华控股于今日与苏州高铁新城国有资产经营管理有限公司和海南联合资产管理有限公司分别签署了《股权转让协议之终止协议》,并共同签署了《共同控制协议之终止协议》,此前二者曾被披露为紫光集团36%股权的受让人。

  同日,清华控股与深圳市人民政府国有资产监督管理委员会全资子公司深圳市投资控股有限公司(以下简称“深投控”)及紫光集团共同签署了《合作框架协议》,拟向深投控转让紫光集团36%股权。

  值得注意的是,此次股权转让或将改变紫光集团的实际控制人,而这亦将改变“紫光系”上市公司的实控人。公告显示,在上述股权转让完成后,将约定由清华控股和深投控一致行动或作出类似安排,达到将紫光集团纳入深投控合并报表范围的条件,以实现深投控对紫光集团的实际控制。(来源:中国半导体论坛)

  10月21日,“中国·徐州集成电路与ICT产业论坛”举行,原香港大学校长、中科院院士郑耀宗,台积电原CTO、台湾工研院院士蒋尚义,微纳电子科学家、美国工程院院士、中科院外籍院士、台湾中研院院士马佐平,徐州市集成电路与ICT领域的100余位创新型企业家代表参加了本次活动。

  论坛由中国国际人才交流基金会、中国留学人才发展基金会指导,以“‘芯’时代、‘芯’动能、‘芯’思路”为主题,为徐州市相关企业带来集成电路产业前沿技术与信息、带动全产业链协同可持续发展,助力徐州市集成电路与ICT产业加速发展。

  三位院士一致看好徐州集成电路与ICT产业发展的前景,认为徐州基础设施完善、产业持续快速发展,产业体系逐步完善、产业集聚初步显现。院士们建议,加快培育壮大链条完整、配套齐全、特色鲜明的三大产业链,加快形成集聚协同发展的产业格局,打造具有较高影响力的区域性集成电路与ICT产业基地。

  近日,华芯投资在其官方微信平台上公布,截至2018年9月12日,国家集成电路产业投资基金有效承诺额超过1200亿元,实际出资额达到1000亿元,投资进度与效果均好于预期,预计2018年年底将基本完成首期规模的有效承诺,投资进度总体提前9个月。

  基金自2014年9月设立以来,华芯投资管理有限责任公司(以下简称“华芯投资”)与国家集成电路产业投资基金股份有限公司(以下简称“基金公司”)严格按照国务院批复方案要求,规范运作,不断探索以市场化手段实现国家战略目标的有效途径,积极开展投资业务创新。继2014年底实现两个项目投资承诺和出资后,2015年至今基本保持每天1亿元承诺和0.8亿元出资,创造了空前的投资进度,有力支撑了产业提升和企业发展。

  10月24日,上市公司闻泰科技(600745.SH)发布预案,计划通过发行股份及支付现金的方式收购安世集团所有GP和LP份额,交易完成后,闻泰科技将间接持有安世集团的控制权。根据目前安世集团的预评估情况,截至预估基准日2018年6月30日,安世集团100%股权价值为351亿元,发行股份购买资产的发行价格为24.86元/股,募集配套资金46.3亿元。

  闻泰科技的前身是房地产公司中茵股份,2016年,闻泰借壳上市。这家公司目前是全球最大的手机ODM厂商,旗下产品除了手机还包括了物联网设备以及笔记本电脑等。

  安世前身为恩智浦的标准产业业务部门,2016年恩智浦将其剥离并转让给建广资产以及智路资本,2016年12月建广资产与智路资本合资成立的裕成控股成立安世集团,安世集团于2017年2月7日以现金27.6亿美元收购了恩智浦所持有的安世半导体100%股权。2016年、2017年安世集团经模拟的净利润分别约10.70亿元、12.74亿元。

  相比之下,闻泰的利润并没有那么“理想”。截至今年6月底,公司资产负债率已达75.52%,若收购完成,闻泰的资产负债率将会进一步提高。

  在境内,闻泰科技拟通过发行股份及支付现金的方式分别收购合肥裕芯的12名股东(即12只境内基金)之上层出资人的有关权益份额。其中,包括12只境内基金中建广资产、合肥建广作为GP拥有的全部财产份额和相关权益,以及参与本次交易的7只境内基金的LP拥有的全部财产份额。

  在境外,闻泰科技境外关联方拟通过支付现金的方式收购境外基金中智路资本作为GP拥有的全部财产份额和相关权益。在取得对安世集团的控制权后,闻泰科技境外关联方拟通过支付现金的方式收购或回购境外基金之LP拥有的全部财产份额。

  闻泰科技一内部人士告诉笔者,熟悉全球市场的闻泰科技可将安世半导体的产品大量引入到全球知名的手机、平板电脑、笔记本电脑、智能硬件等品牌客户当中,帮助安世在消费电子、IoT、笔记本电脑市场领域扩大市场份额。此外,闻泰科技在汽车电子领域国际市场有一些欠缺,整合安世半导体之后将有机会借助安世的渠道进入欧美日韩市场,打开广阔的全球汽车电子市场。

  但可以看到,这笔潜在收购存在失败风险。在多重因素的影响下,全球并购潮正在出现回落。这种趋势从去年下半年开始已经显现出来。

  而一位不愿意透露姓名的半导体公司负责人对笔者表示,收购交易的过程十分烧钱,需要一些时间。

  对于闻泰来说,拿下安世半导体控制权展现出了更大的信心及决心,但不得不说,庞大复杂的交易过程以及不确定的外围市场影响对于这家公司也是极其大的考验。我们乐于见到中国半导体更加成熟和活跃的市场表现,但需要更加冷静的资本思考。(来源:第一财经)

  芯智控股于2018年10月22日发布公告,集团全资子公司Smart IC Cloud Holdings Limited作为买方,与卖方(燕青、李红胜、NgTeck Yee (Jason)、倪莉),及公司就收购目标公司铭冠国际香港有限公司(简称“铭冠国际”)已发行股份的25%签订股份收购协议,本次收购总金额为307万美元。

  本次收购总金额的70%将以现金的方式支付,剩下30%将由公司发行共计410.5万股的代价股份支付,占公司经扩大后已发行总股本的0.81%;每股的发行价约0.2244美元(约1.75港元),较10月22日在联交所收市价折让0.57%。

  铭冠国际连同其全资附属苏州酷科电子有限公司为领先的电子元件分销商,其创办人及管理层在电子元件分销业务方面有着丰富的经验和资源,客户群体主要位于亚洲,也包括一些跨国公司。其擅长的逆向供应链管理服务,可以在市场供应短缺时为客户提供紧缺物料的采购解决方案,同时亦擅于处理客户的多余存货,帮助客户在全球范围内经营好OEM/EMS业务。

  截至到9月30日止的财政年度,铭冠国际2018年度的除税后净利润为185.7万美元。本次股权收购完成之后,买方将成为铭冠国际的最大股东,因此,目标公司的财务业绩将根据相关会计政策并入集团的综合财务报表。

  未来,双方将结合铭冠国际丰富的全球品牌电子元器件资源、芯智控股的技术增值服务能力,以及双方专业的营销团队和渠道网络,在供应链、市场营销、元器件电商等业务上进行深入的合作,进而推动双方业务规模和市场份额的增长。(来源:微电子制造)

  日月光近日代子公司公告,大陆福建晋华集成电路将投资该公司旗下的矽品电子(福建)(简称矽电),并持有其二成股权。据了解,晋华与矽电将在DRAM封测领域展开合作。

  晋华由福建省电子信息集团、晋江能源投资集团等共同出资,于2016年初成立,着手建置12吋厂,并与台厂密切合作,先与联电签订技术合作协议,开发DRAM相关技术,预计将应用于利基型DRAM,如今也与矽电携手,将合作DRAM封测业务。

  业界认为,中国积极扶持发展半导体产业的过程中,业者及其本地厂商业务合作与投资股权并进是常见的合作方式,日月光集团可巩固与争取更多当地商机。

  台积电法说会落幕,释出第4季展望略优于预期,不过却透露8吋晶圆代工的产能利用率已没有满载,尤其28纳米整体的产能明显大于市场供给。随着台积电8吋晶圆代工的产能利用率出现松动,第4季传统旺季是否将出现旺季不旺,值得关注。

  8吋晶圆应用包括电源管理晶片、面板驱动晶片、微控制器、指纹辨识晶片、MOSFET等产品,除了大宗产品之外,也适合小量多样,应用范围广泛,而台积电先开第一枪,说目前8吋晶圆代工的产能利用率已经没有满载了,也就是整体市场动能有减弱的迹象。

  从上游半导体矽晶圆的角度来看,业者表示,8吋矽晶圆中的重掺产品需求维持热络,客户下单的情况没有太大的变化,不过原本供不应求的压力已经稍微纾解。

  市场认为,随着8吋半导体矽晶圆新产能逐渐开出,原本供不应求的紧张局势将有所改变,也有分离式元件厂商透露,8吋晶圆已经没有像之前这么缺货,由于往年的第1季都是传统淡季,因此接下来供需吃紧的情况也将有所转变。

  从东芝(Toshiba)独立出来的全球第2大NAND型快闪存储器(Flash Memory)厂商“东芝存储器(TMC)”已于今年6月卖给以美国私募基金贝恩资本(Bain Capital)为主的“日美韩联盟”,而TMC原先是计划要在3年后IPO(首次公开发行),不过为了筹措设备投资所需的资金、对抗龙头厂三星电子,传出TMC的IPO计划将大幅提前、最快明年(2019年)秋天就会执行。

  共同通信、NHK等多家日本媒体24日报导,TMC的IPO计划将大幅提前,据关系人士指出,TMC已于今年夏天开始进行上市的准备,最快将在明年秋天实施IPO,且预估会在东证一部挂牌、届时公司名称也会进行变更。

  报导指出,TMC原先是计划要在3年后才IPO,而之所以将计划大幅提前,目的除了要让“日美韩联盟”能早期回收收购TMC所花费的资金外,d88.com北京40万保安人员加入今日头条寻人志愿者队伍。也是要藉由IPO确保设备投资所需的资金、对抗龙头厂三星。

  博通(Broadcom)公司正面临欧盟对其涉嫌利用市场主导地位向客户施压以购买其半导体产品的反垄断审查。欧盟官员正在寻找证据,表明总部位于美国加州的博通利用其市场地位强迫客户坚持使用其芯片并不公平地使竞争对手处于劣势。

  据知情人士透露的信息和欧盟委员会发布的调查问卷显示,欧盟初步调查的重点是博通用于有限网络和卫星行业,向用户提供电视和互联网服务的机顶盒芯片的销售情况。此外,消息人士表示美国联邦贸易委员会(FTC)也在审查博通的行为。

  调查问卷中,欧盟询问其他公司是否曾受到博通专利诉讼的威胁,是否表示要提高价格,取消对未独家使用博通芯片客户的折扣,以及是否将技术兼容性作为迫使该行业继续使用其产品的杠杆。Arris International公司是收到调查问卷的博通客户之一,该公司是全球领先的娱乐、通信和网络技术供应商。

  这些调查更多地表明,博通和多数科技公司正面临监管机构的更多审查。博通此前曾试图收购高通,但被美国政府叫停。此交易如果能够达成,将会是半导体行业史上最大规模的并购交易。不过博通的高管们表示,他们计划继续通过收购推动增长。(来源:集微网)

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  闻泰科技表示,安世集团分立器件、逻辑器件、MOSFET器件的市场占有率均处于全球前三名的位置,具备多....

  2017年国务院印发了《关于进一步扩大和升级信息消费持续释放内需潜力的指导意见》,文件还明确提出:扩....

  本次股权转让后,清华控股持有紫光集团15%股权,深投控持有紫光集团36%股权。

  IC Expo为从事集成电路设计、芯片加工、封装测试、半导体专用设备、半导体专用材料、半导体分立器件....

  10月23日晚,国内一家半导体产业研究机构芯谋研究(ICwise)发布了《2018上半年中国集成电路....

  “硅谷商业杂志”做了一项硅谷科技公司员工薪金的调查和排名,结果发现,大部分科技公司都给员工很高的薪金....

  RF430FRL15xH器件是一款13.56MHz应答器芯片,该芯片中包含可编程的16位MSP430低功耗微控制器。该器件采用嵌入RF430FRL15xH支持通过兼容ISO /IEC 15693和ISO /IEC 18000-3(模式1)标准的RFID接口以及SPI或I 2 C接口进行通信,参数设置和配置。该器件具有内部温度传感器功能和板载14位Σ-Δ模数转换器(ADC),支持传感器测量,并且可通过SPI或I 2 C来连接数字传感器。 RF430FRL15xH器件经过优化可在完全无源(无电池)或单节电池供电(半有源)模式下运行,从而延长消逸式和无线传感应用中电池的使用寿命。 p>

  特性 兼容ISO /IEC 15693和ISO /IEC 18000-3(模式1)标准的射频(RF)接口 电源系统采用电池或13.56MHz磁场供电 14位Σ-Δ模数转换器(ADC) 内部温度传感器 电阻传感器偏置接口 CRC16 CCITT发生器 MSP430混合信号微控制器 2KB FRAM 4KB SRAM 8KB ROM 电源电压范围:1.45V至1.65V 低功耗 激活模式(AM):140μA/MHz(1.5V) 待机模式(LPM3):16μA 16位精简指令集计算机(RISC)架构 最高2MHz CPU...

  TRF7962A器件是集成式模拟前端(AFE)和数据成器器件,适用于13.56MHz RFID读/写器系统,支持ISO /IEC 15693 。该器件具有内置的编程选项,因此适合于广泛的接近和附近识别系统应用。 通过在控制寄存器内选择所需的协议可对此读取器进行配置。到所有控制寄存器的直接存取可根据需要对不同的读取器参数进行微调。 TRF7962A器件针对所有符合板载ISO协议的成和和同步任务,支持6kbps和26kbps的数据速率。器件还支持NFC论坛标签类型5的读/写器模式。为了支持NFC论坛标签类型5,该器件允许在直接模式2下使用内置协议解码器.NFC论坛标签类型1要求使用直接模式0.其它标准和自定义协议也可通过使用直接模式0来实现。直接模式0可让用户完全控制AFE,并且还可以访问原始子载波数据或者未成而但已经是ISO式的数据和相关(提取的)时钟信号。 接收器系统具有双输入接收器架构,可最大程度实现通信稳定。这些接收器还包括多种自动和手动增益控制选项。在RSSI寄存器中可获取从应答器,周围信号源或者内部电平接收到的信号强度。 可使用SPI或并行接口进行MCU和TRF7962A读取器间的通信。当使用内置的硬件编码器和解码器的时...

  TMS3705转发器基站IC用于驱动TI-RFid转发器系统的天线,发送天线信号上调制的数据,并进行检测并解调发送应答器的响应。应答器的响应是频移键控(FSK)信号。高或低位编码为两个不同的高频信号(低位为134.2 kHz,高位为123 kHz,标称值)。应答器根据内部存储的代码在天线线圈中感应这些信号。应答器发送数据所需的能量存储在应答器中的充电电容器中。天线场在前一个充电阶段对该电容器充电。 IC具有与外部微控制器的接口。 微控制器和基站IC的时钟供应有两种配置: 微控制器和基站IC提供仅从一个谐振器得到的时钟信号:谐振器连接到微控制器。向基站IC提供由微控制器的数字时钟输出驱动的时钟信号。时钟频率为4 MHz或2 MHz,具体取决于所选的微控制器类型。 微控制器和基站各有自己的谐振器。 基座站IC具有片上PLL,仅产生16 MHz的时钟频率,仅供内部时钟供电。建议仅将TMS3705BDRG4和TMS3705DDRQ1与AES转发器产品(例如,TRPWS21GTEA或RF430F5xxx)结合使用。 TMS3705A1DRG4不能与AES转发器产品结合使用。 特性 用于TI-RFid射频识别系统的基站IC 驱动天线 发送调制数据...

  RF430FRL15xH器件是一款13.56MHz应答器芯片,该芯片中包含可编程的16位MSP430低功耗微控制器。该器件采用嵌入RF430FRL15xH支持通过兼容ISO /IEC 15693和ISO /IEC 18000-3(模式1)标准的RFID接口以及SPI或I 2 C接口进行通信,参数设置和配置。该器件具有内部温度传感器功能和板载14位Σ-Δ模数转换器(ADC),支持传感器测量,并且可通过SPI或I 2 C来连接数字传感器。 RF430FRL15xH器件经过优化可在完全无源(无电池)或单节电池供电(半有源)模式下运行,从而延长消逸式和无线传感应用中电池的使用寿命。 p>

  特性 兼容ISO /IEC 15693和ISO /IEC 18000-3(模式1)标准的射频(RF)接口 电源系统采用电池或13.56MHz磁场供电 14位Σ-Δ模数转换器(ADC) 内部温度传感器 电阻传感器偏置接口 CRC16 CCITT发生器 MSP430混合信号微控制器 2KB FRAM 4KB SRAM 8KB ROM 电源电压范围:1.45V至1.65V 低功耗 激活模式(AM):140μA/MHz(1.5V) 待机模式(LPM3):16μA 16位精简指令集计算机(RISC)架构 最高2MHz CPU...

  CC2510Fx /CC2511Fx是一款线 GHz片上系统(SoC),专为低功耗无线Fx将最先进的RF收发器CC2500的卓越性能与业界标准的增强型8051 MCU,高达32 kB的系统内可编程闪存和4 kB RAM以及其他许多强大功能相结合。特征。小型6x6 mm封装非常适合尺寸限制的应用。 CC2510Fx /CC2511Fx非常适合需要极低功耗的系统。这是由几种先进的低功耗操作模式确保的。 CC2511Fx为CC2510Fx的功能集添加了全速USB控制器。使用USB接口与PC连接既快速又简单,USB接口的高数据速率(12 Mbps)避免了RS-232或低速USB接口的瓶颈。 特性 无线电 基于市场领先的CC2500的高性能射频收发器 出色的接收器选择性和阻塞性能 高灵敏度(2.4 kBaud时-103 dBm) 可编程数据速率高达500 kBaud 可编程输出功率所有支持的频率最高可达1 dBm 频率范围:2400 - 2483.5 MHz 数字RSSI /LQI支持电流消耗 低电流消耗(RX:17.1 mA @ 2.4 kBaud, TX:16 mA @ -6 dBm输出功率) 0.3μA(PM3)功耗最低的模式) MCU,存储器和外设 高性能,低功耗8051单片机...

  TRF7964A器件是集成式模拟前端(AFE)和多协议数据组帧器件,适用于13.56MHz NFC /RFID读写器系统,支持ISO /IEC 14443 A和B,Sony FeliCa以及ISO /IEC 15693.与超集器件TRF7970A之间实现了引脚到引脚兼容以及固件兼容。该器件具有内置的编程选项,因此适合于接近和邻近识别系统的广泛应用。 通过在控制寄存器内选择所需的协议可对此器件进行配置。通过对所有控制寄存器进行直接存取,可根据需要对不同的读取器参数进行微调。 TRF7964A器件针对所有符合板载ISO协议的组帧和同步任务,支持高达848kbps的数据速率。可通过使用该器件提供的直接模式之一来实现其他标准甚至自定义协议。这些直接模式可让用户完全控制AFE,并且还可以访问原始子载波数据或者未组帧但已经是ISO格式的数据和相关(提取的)时钟信号。 接收器系统具有双输入接收器架构,可最大程度实现通信稳定。接收器还包括多种自动和手动增益控制选项。在RSSI寄存器中可获取从应答器,周围信号源或者内部电平接收到的信号强度。 可使用SPI或并行接口进行MCU和TRF7964A器件间的通信。当使用内置的硬件编码器和解码器时,发送和接收功能使...

  CC2620 SimpleLink™ RF4CE 超低功耗无线器件是一款无线微控制器(MCU),主要适用于ZigBeeRF4CE远程控制应用,涉及控制器和目标节点。 此器件属于SimpleLink™CC26xx系列中的经济高效型超低功耗2.4GHz RF器件。它具有极低的有源RF和MCU电流以及低功耗模式流耗,可确保卓越的电池使用寿命, SimpleLink蓝牙低功耗CC2620器件含有一个32位ARM ® Cortex ® -M3内核(与主处理器工作频率同为48MHz),并且具有丰富的外设功能集,其中包括一个独特的超低功耗传感器控制器。此传感器控制器非常适合连接外部传感器,还适合因此,CC2620器件成为ZigBee RF4CE远程控制的理想选择,支持语音,运动控制,RF-IR混合远程控制以及电容触控式qwerty键盘和STB /目标节点。 CC2620无线MCU的电源和时钟管理以及无线系统需要采用特定配置并由软件处理才能正确运行,这已经在TI-RTOS中实现.TI建议将此软件框架应用于针对器件的全部应用程序开发过程。完整的TI-RTOS和器件驱动程序以源代码形式免费提供,下载地址:。

  IEEE 802.15.4 MAC嵌入ROM中,并在ARM ® Cortex ® -M0处理器上单独运行。此架构可改善整体系统...

  TRF7960A TRF7960A 多协议全集成 13.56MHz RFID 读/写器 IC

  TRF7960A器件是集成式模拟前端(AFE)和多协议数据成器器件,适用于13.56MHz RFID读/写器系统,支持ISO /IEC 14443 A和B,Sony FeliCa以及ISO /IEC 15693.该器件具有内置的编程选项,因此适合于广泛的接近和附近识别系统应用。 通过在控制寄存器内选择所需的协议可对此读取器进行配置。到所有控制寄存器的直接存取可根据需要对不同的读取器参数进行微调。 TRF7960A器件针对所有符合板载ISO协议的成和同步任务,支持高达848kbps的数据速率。此器件还支持NFC论坛标签类型1,2,3,4和5的读/写器模式。为了支持NFC论坛标签类型2,3,4和5,该器件允许在直接模式2下使用内置协议解码器.NFC论坛标签类型1要求使用直接模式0.其它标准和自定义协议也可通过使用直接模式0来实现。直接模式0可让用户完全控制AFE,并且还可以访问原始子载波数据或者未成而但已经是ISO格式的数据和相关(提取的)时钟信号。 接收器系统具有双输入接收器架构,可最大程度实现通信稳定。这些接收器还包括多种自动和手动增益控制选项。在RSSI寄存器中可获取从应答器,周围信号源或者内部电平接收到的信号强度。 可使用SPI或并行接口进行MC...

  在使用单电源的信号调理应用中,需要一个等于电源电压一半的参考电压来终止所有模拟信号接地。 TI提供精密虚拟接地,其输出电压始终等于TLE2426分压器输入电压的一半。 高性能微功率运算放大器和精密调节分压器的独特组合单个硅芯片导致精确的V O /V I 比为0.5,同时下沉和输出电流。 TLE2426提供具有20 mA灌电流和源极功能​​的低阻抗输出,同时在4 V至40 V的整个输入范围内提供低于280μA的电源电流。设计人员无需为电路板空间付出代价传统的信号接地,包括电阻,电容,运算放大器和电压基准。为提高性能,8引脚封装提供降噪引脚。通过增加一个外部电容(C NR ),可以降低峰峰值噪声,同时改善线-的初始输出容差在整个40 V输入范围内,V或12 V系统优于1%。纹波抑制超过12位精度。无论应用是用于数据采集前端,模拟信号终端还是简单的精密电压基准,TLE2426都消除了系统误差的主要来源。 特性 受控基线 一个装配/测试现场,一个制造现场 -55°C至125°C的扩展温度性能 增强的减少制造资源(DMS)支持 增强产品更改通知 资格认证谱系(1) 模拟系统的半个V I 虚拟接地 微功率运行。 。 。 170μ...

  TVP5150AM1-EP 增强型产品超低功耗 NTSC/PAL/SECAM 视频解码器

  TVP5150AM1器件是超低功耗NTSC /PAL /SECAM视频解码器。 TVP5150AM1解码器采用节省空间的32端TQFP封装,可将NTSC,PAL和SECAM视频信号转换为8位ITU-R BT.656格式。也可以使用离散同步。 TVP5150AM1解码器的优化架构可实现超低功耗。该解码器在典型操作中功耗为115 mW,在省电模式下功耗不到1 mW,大大延长了便携式应用的电池寿命。解码器仅使用一个晶体来支持所有标准。可以使用I 2 C串行接口对TVP5150AM1解码器进行编程。解码器的模拟和数字电源采用1.8 V电源,I /O采用3.3 V电源。 TVP5150AM1解码器将基带模拟视频转换为数字YCbCr 4:2:2分量视频。支持复合和S-video输入。 TVP5150AM1解码器包括一个带2倍采样的9位模数转换器(ADC)。采样是ITU-R BT.601(27.0 MHz,由14.31818-MHz晶振或振荡器输入产生)并且是线路锁定的。输出格式可以是8位4:2:2或带有嵌入式同步的8位ITU-R BT.656。 TVP5150AM1解码器利用德州仪器专利技术锁定弱电,噪声或信号不稳定。生成同步锁相/实时控制(RTC)输出,用于同步下游视频编码器。 可以为亮度和色度数据路径...

  UC1637是一款脉冲宽度调制器电路,旨在用于需要单向或双向驱动的各种PWM电机驱动和放大器应用电路。当用于替换传统驱动器时,该电路可以提高效率并降低许多应用的元件成本。包括所有必要的电路,以产生模拟误差信号,并与误差信号的幅度和极性成比例地调制两个双向脉冲序列输出。 该单片器件包含一个锯齿波振荡器,误差放大器和两个PWM比较器具有±100 mA输出级作为标准功能。保护电路包括欠压锁定,逐脉冲电流限制和具有2.5 V温度补偿阈值的关断端口。 UC1637的特点是在整个空间温度范围内工作 - 55°C至125°C。 特性 QML-V合格,SMD 5962-89957 耐辐射:30 kRad(Si)TID ( 1) TID剂量率= 10 mRad /sec 单电源或双电源操作 ±2.5- V至±20V输入电源范围 ±5%初始振荡器精度; ±10%过温 逐脉冲电流限制 欠压锁定 具有温度补偿2.5 V阈值的关断输入 用于设计灵活性的未提交PWM比较器 双100 mA源/灌电流输出驱动器 (1)辐射公差是基于初始设备认证的典型值。可提供辐射批次验收测试 - 有关详细信息,请联系工厂。 参数 与其它产品相比 电机驱动器   Peak Output Current (A) Featur...

  DRV8842-EP 5A 刷式直流或半双极步进电机驱动器(PWM 控制)

  DRV8842-EP可用于打印机,扫描仪以及其它自动化设备应用提供集成电机驱动器解决方案。此器件具有一个H桥驱动器,用于驱动一个直流电机,一个步进电机线圈或其它负载。输出驱动器块包括配置为一个H桥的N通道功率MOSFET.DRV8842-EP可提供最高5A的峰值电流或3.5A的RMS输出电流(在24 V /25°C且散热正常的条件下)。 提供可单独控制H桥每一半的独立输入。 提供用于过流保护,短路保护,欠压锁定和过热保护的内部关断功能。 DRV8842-EP采用带有PowerPAD的28引脚HTSSOP封装(环保型:符合RoHS标准且不含铅/溴)。要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 特性 单路H桥电流控制电机驱动器 驱动一个直流电机,一个步进电机线位绕组电流控制支持高达32个电流级 低MOSFET导通电阻 24V /25°C下最大驱动电流为5A 内置3.3V基准输出 工业标准的PWM控制接口 8.2V至45V宽工作电源电压范围 散热增强型表面贴装封装 支持国防,航天和医疗应用 受控基线 同一组装和测试场所

  同一制造场所 支持军用(-55°C至125°C)温度范围 延长的产品生命周期 延长的产品变...

  THS8200是一款完整的视频后端D /A解决方案,适用于DVD播放器,个人视频录像机和机顶盒,或任何需要转换的系统数字分量视频信号进入模拟域。 THS8200可接受4:4:4和4:2:2格式的各种数字输入格式,3×10位,2 ×10位或1×10位接口。该设备通过专用的Hsync /Vsync输入或通过从视频流内的嵌入式同步(SAV /EAV)代码中提取同步信息来同步输入的视频数据。或者,当配置为生成PC图形输出时,THS8200还提供主时序模式,在该模式下,它从外部(存储器)源请求视频数据。 THS8200包含一个完全可编程的显示时序发生器标准和非标准视频格式,最大支持像素时钟为205 MSPS。因此,该设备支持所有分量视频和PC图形(VESA)格式。包含完全可编程的3×3矩阵运算,用于色彩空间转换。所有视频格式,高达HDTV 1080I和720P格式,也可以在内部进行2倍过采样。过采样放宽了对DAC背后尖锐外部模拟重建滤波器的需求,并改善了视频特性。 输出兼容范围可通过外部调节电阻设置,可选择两种设置,以便无需硬件更改即可适应分量视频/PC图形(700 mV)和复合视频(1.3 V)输出。视频数据上的内部可编程限幅/移位/乘法功能可确保符合标准的...

  UC1625电机控制器在一个封装内集成了高性能无刷dc电机控制所需的大多数功能。当与外部功率场效应管( MOSFET)或者达灵顿功率管(达林顿)耦合的时候,此器件在电压或者电流模式下件执行固定频率PWM电机控制的同时执行闭环速度控制和具有智能噪音抑制功能的刹车,安全方向反转,和交叉传导保护。 虽然额定工作电压范围是10 V至18V,UC1625可借助于外部电平位移组件来控制具有更高电源电压的器件.UC1625含有用于低侧功率器件的快速,高电流推挽驱动器和用于高侧功率器件或者电平位移电路的50 V开路集电极输出。 UC1625额定军用工作温度范围是-55°C至125°C 。 特性 经QML-V标准认证,SMD 5962-91689 耐辐射:40 kRad(Si)TID辐射容 直接驱动功率场效应管(MOSFET)的限制基于初始器件鉴定(放射量率= 10 mrad /sec)的典型值。可提供辐射批量接受测试 - 详情请与厂家联系。或者达灵顿功率管(Darlington) 50-V开路集电极高层驱动器 锁存软启动 装有理想二极管的高速电流感应放大器 逐脉冲和平均电流感应 过压及欠压保护 用于安全方向反转的方向闩 转速计 修整参考源30 mA 可编程交叉传导保护 两象限和四象限...

  DRV8332是一款具有先进保护系统的高性能,集成三相电机驱动器。 由于功率MOSFET的低R

  DS(导通)和智能栅极驱动器设计,这个电机驱动器的效率可高达97%,可实现更小电源和散热片的使用,是高能效应用的理想选择。 DRV8332需要两个电源,一个为12V,用于GVDD和VDD,另外一个可高达50V,用于PVDD.DRV8332在高达500kHz PWM开关频率运行时仍可保持高精度和高效率。它还具有一个创新保护系统,此系统可在很宽故障条件下保护器件不受损伤。这些保护是短路保护,过流保护,欠压保护和两级过热保护.DRV8332有一个限流电路,此电路可在诸如电机启动等负载瞬态期间防止器件过流关断。一个可编程过流检测器可实现可调电流限值和保护级别以满足不同的电机需要。 DRV8332具有用于每个半桥的独特独立电源和接地引脚,这样可通过外部检测电阻来提供电流测量,并且支持具有不同电源电压需求的半桥驱动器。 特性 具有低R DS(导通)金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)(T J = 25°C时为80mΩ)的高效功率驱动器(高达97%) 运行电源电压高达50V (绝对最大值70V) 高达5A持续相电流(峰值7A...

  RF430CL331H RF430CL331H 动态 NFC 接口应答器

  德州仪器(TI)动态近场通信(NFC)/射频识别(RFID)接口应答器RF430CL331H是一款NFC标签类型4器件,可结合一个非接触式NFC /RFID接口和一个有线 C接口将器件连接到主机.NDEF消息可通过集成的I 2 C串行通信接口读写,也可通过支持高达848kbps速率的集成ISO /IEC 14443标准类型B RF接口进行非接触式访问或更新。 该器件按主机控制器的需求请求响应NFC类型4命令,每次仅在其缓存中存储部分NDEF消息。这使得NDEF消息的大小仅受主机控制器的存储器容量以及规范的限制。 该器件支持读缓存,预取和写自动确认功能,可提高数据吞吐量。 该器件可利用简单而直观的NFC连接切换来替代载波方式,只需一次点击操作即可完成诸如,低功耗(BLE)或Wi- Fi的配对过程或认证过程。乌鲁木齐城市轨道集团有限公司发... 作为一个常见N. FC接口,RF430CL331H使得终端设备能够与启用NFC的智能手机,平板电脑和笔记本电脑这类快速发展的基础设施进行通信。 特性 通过直通操作向主机控制器发送数据更新和请求 I 2 C接口允许对内部静态随机存取存储器(SRAM)进行读写操作 预取,缓存和自动应答特性提高数据吞吐量 支持数据流